S16. SiC 전력소자 및 소재

Organizer 방욱 박사(KERI), 정성민 박사(KICET) / E-mail: bahng@keri.re.krr

소개  
- wide bandgap 반도체 재료인 SiC(탄화규소) 기판재료인 단결정 성장 기술, 소자 정격을 결정하는 epitaxy기술을 포함한 SiC 반도체 소재기술에 대한 발표
- 개발된 소재를 이용한 고전압 diode, MOSFET 소자의 simulation 및 실제작과정에 대한 연구, 제작된 소자의 특성에 대한 연구 결과 발표
- 제작된 SiC 소자를 이용한 전력소자 모듈분야에 대한 연구결과 발표를 포함하여 국내에서 진행된 SiC반도체 전분야에 대해 많은 연구자들이 참석하여 본인의 연구결과 발표 및 토의를 통해 국내 SiC 반도체 기술 발전을 도모하는 것을 목표로 한다.
심포지엄 세부 분야  
- SiC power device simulation, fabrication
- power module using SiC power devices
- SiC single crystal growth
- SiC epitaxy
초청연사  
- 전명철 박사(POSCO): ICSCRM 참가보고 및 SiC 관련 국내외 동향
- 정인호 교수님(서울대): 용액법을 이용한 SiC 단결정 성장에 있어 열역학적 조성설계 및 공정설계
- 서영훈 사장(AUK): Si 소자의 한계 및 SiC 소자의 개발 방향
- 양창헌 연구소장(㈜ Technics): 소자업체에서 바라본 SiC 산업 동향